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廣州潽拓光電科技有限公司--ULVAC愛(ài)發(fā)科分子泵維修；

ARPES光束線(xiàn)客戶(hù)案例:某光源ARPES光束線(xiàn)真空系統,真空系統是同步輻射光束線(xiàn)的重要組成部分,只有在真空環(huán)境中運行,光學(xué)元件才能夠將同步輻射光傳輸到試驗站,真空系統的作用就是獲得并維持合理的真空度,保證光束線(xiàn)的穩定運行.此系統搭配愛(ài)發(fā)科分子泵80,及配套真空規.

真空系統要求(分子泵):

1.靜態(tài)真空(無(wú)束流):5x10-8Pa,動(dòng)態(tài)真空(有束流):

2.真空系統基本配置:離子泵+無(wú)油分子泵+冷陰極真空規管+氣體分析儀超高真空系統配置:

渦輪分子泵

接口:DN100CF-F

極限真空:氮氣壓縮比:>1X1011渦輪分子泵80

接口:DN63CF-F

極限真空:氮氣壓縮比:>1X1011殘余氣體分析儀PrismaPro

質(zhì)量數:1-300amu

四極桿直徑／長(cháng)度:6/125mm

很大工作壓力FhPa:5X10-4

渦輪分子泵抽速范圍10至2700L/S,轉速很高90,000rpm,極限真空很大1E-11mbar,對小分子氣體具有更高的壓縮比,實(shí)踐證明渦輪分子泵運行時(shí)間可以達到100,000小時(shí)!分子泵提供復合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿(mǎn)足不同應用,推薦搭配旋片泵和干泵共同使用.更多分子泵典型應用>>

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視頻作者：廣州潽拓光電科技有限公司

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為了確認磁場(chǎng)對分子泵工作的影響，德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院（）設計并執行了下面的測試：測試條件和裝置被測分子泵的型號為T(mén)wisTorr304FSCFF6，使用一對亥姆霍茲線(xiàn)圈(直徑120厘米)來(lái)產(chǎn)生包圍整個(gè)泵的均勻磁場(chǎng)。使用20℃的冷卻水對分子泵持續進(jìn)行冷卻；分子泵的控制器會(huì )自動(dòng)調整電機電流，保持轉子以恒定轉速運行。

使用安裝于分子泵口的紅外溫度計測量被測試分子泵的轉子溫度。使用連接到分子泵外殼的PT100熱電阻測量定子的溫度。測試過(guò)程試驗期間，渦輪泵以滿(mǎn)轉速持續運行。初始的磁場(chǎng)設置為1mT，泵在該磁場(chǎng)下運行12個(gè)小時(shí)以穩定轉子溫度；然后關(guān)閉磁場(chǎng)，再運行12個(gè)小時(shí)以使轉子降溫；然后再分別把磁場(chǎng)設置為2mT，按照前面的步驟繼續進(jìn)行測試，直至磁場(chǎng)增加到7mT。

當磁場(chǎng)逐步增加后，被測分子泵轉子的平衡溫度也隨之上升，當磁場(chǎng)強度為7mT時(shí)，平衡溫度上升到100攝氏度左右（分子泵的很大允許溫度為120度）。

另外，使用該測試平臺測試了另一臺其它品牌的分子泵，一系列的對比測試表明，分子泵在相同的磁場(chǎng)條件下轉子的平衡溫度明顯較低（5mT時(shí)，低大約40度）。

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通用的沉積技術(shù)有化學(xué)氣相淀積（CVD）、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來(lái)說(shuō)，其中還要夾雜低溫（≤500℃）退火工藝等熱處理工藝，用以增進(jìn)金屬層和半導體之間的低電阻接觸、消除內應力等。設備運行過(guò)程中需要高潔凈的真空環(huán)境，一般采用以磁懸浮分子泵為主的無(wú)油真空系統。

刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程?？涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形?，F代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空系統，同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢測和控制裝置?？涛g應用工況復雜，清潔性差，充入特種氣體種類(lèi)繁多，因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。

離子注入設備：離子注入是指在真空環(huán)境下，當離子束射向固體材料時(shí)，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并很終停留在固體材料中的現象。離子注入是半導體表面附近區域進(jìn)行摻雜的主要技術(shù)，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類(lèi)型。離子注入機是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設備，需要高清潔的真空環(huán)境，以保證離子摻雜濃度和劑量的準確性。

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